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刷新行業(yè)紀錄!國星光電攜手華南理工大學成功研制行業(yè)最高發(fā)光效率的量子點LED器件

來源:國星光電        編輯:swallow    2021-04-25 09:19:34     加入收藏    咨詢

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 近日,國星光電及華南理工大學最新研究成果“Toward 200 Lumens per Watt of Quantum-Dot White-Light-Emitting Diodes by Reducing Reabsorption Loss”發(fā)表在國際著名期刊《ACS Nano》。

  近日,國星光電及華南理工大學聯(lián)合建立的廣東省半導體微顯示企業(yè)重點實驗室的最新研究成果“Toward 200 Lumens per Watt of Quantum-Dot White-Light-Emitting Diodes by Reducing Reabsorption Loss”發(fā)表在國際著名期刊《ACS Nano》。該成果是廣東省半導體微顯示企業(yè)重點實驗室正式啟動以來的又一重大突破,刷新了同類器件最高發(fā)光效率行業(yè)紀錄 ,有望加快該新技術的商業(yè)化進程,并鞏固國星光電在Mini/Micro LED顯示器件領域的技術優(yōu)勢地位。

  

  論文封面、原理以及效率對比

  量子點色轉換技術是Mini/Micro LED、OLED以及LCD寬色域顯示的共性關鍵技術,在超清顯示、虛擬顯示等新興領域極具應用潛力。目前,硒化鎘、鈣鈦礦等量子點的光致發(fā)光效率已超過85%,高于傳統(tǒng)稀土熒光粉材料,然而封裝制成LED器件的發(fā)光效率普遍在50-130 lm/W(理論效率>200 lm/W),上述矛盾已困擾學界與行業(yè)多年,低下的發(fā)光效率嚴重制約量子點LED顯示技術的實際應用。

  為此,該成果提出直方通孔復合量子點色轉換結構及其強化出光機制,利用濕法機械攪拌把量子點高效組裝于粒徑匹配的直方通孔結構,通孔結構被低折射率硅樹脂填充,所形成折射率差異可抑制熒光光子在通孔內部硅樹脂基材的傳播,顯著減少重吸收損耗。最終成功突破了量子點LED器件的發(fā)光效率瓶頸,獲得超過200 lm/W的同類器件最高發(fā)光效率行業(yè)紀錄(經CNAS認證第三方機構檢測)。

  ▲2020年,廣東省半導體微顯示企業(yè)重點實驗室、國星光電研究院正式掛牌

  由國星光電聯(lián)合華南理工大學等高校研究所共同組建的廣東省半導體微顯示企業(yè)重點實驗室 ,旨在重點攻克超高清半導體微顯示領域的行業(yè)共性技術難題,實現(xiàn)相關技術的產業(yè)化與示范性應用。此次關鍵技術的重大突破,是產學研深度合作,實現(xiàn)共贏共發(fā)展的結果,為公司全面布局超高清半導體微顯示領域提供有力的技術支撐,為推進超高清顯示產業(yè)化進程再添動力。長期以來,國星光電充分發(fā)揮 “產學研”相結合的優(yōu)勢,依托博士后科研工作站、粵港澳智能微納光電技術聯(lián)合實驗室等校企聯(lián)合科研平臺,引進、培養(yǎng)高素質創(chuàng)新型人才,近年博士后項目課題覆蓋全光譜白光LED、寬色域背光源用LED封裝以及第三代半導體技術等前沿領域。

  未來,國星光電將繼續(xù)加強產學研深度融合,加大關鍵核心技術攻堅力度,加快科技創(chuàng)新成果轉化速度,努力刷新全球半導體微顯示技術領域新高度,為廣晟集團奮進世界500強貢獻力量。

免責聲明:本文來源于國星光電,本文僅代表作者個人觀點,本站不作任何保證和承諾,若有任何疑問,請與本文作者聯(lián)系或有侵權行為聯(lián)系本站刪除。(原創(chuàng)稿件未經許可,不可轉載,轉載請注明來源)
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